超小型半导体应变计

超小型半导体应变计采用扩散型工艺,利用单晶硅的压阻效应,通过微电子制造工艺加工而成。它将几个应变电阻,同时制作在同一芯片上,采用这种工艺给使用者带来了极大方便,具有体积小、灵敏度高、极限应变大、响应快、寿命长、使用灵活方便等特点。

片内的四个应变敏感电阻,是采用首尾相连的方式连接在一起,只有一处为电桥的开口,输出五个引脚(即该应变电桥5根引线),使每个电阻都能被独立的测量到阻值。这样方便应变片在粘贴工艺完成后,进行调零;

片内的四个电阻直接组成惠斯通电桥,粘贴工艺完成后从应变片的4个焊盘引线出来便可应用;

片内的两个电阻为独立电阻,每个电阻有2根引脚,根据实际场景可将两个应变片的四个电阻组成惠斯通电桥。

可广泛应用与各种力学量:力、盈利、应变、压力、位移、速度、加速度、流量、振动等测量,尤其适用于轻、薄、小结构中的力学量的测量。


阻值范围2kΩ~5 kΩ12KΩ±20%9KΩ±20%
标准电阻(25°C,不受力)2.4 kΩ±5%13KΩ±5%10KΩ±5%
灵敏度≥0.4mV/µɛ@5V>0.35mV/µɛ@5V>0.40mV/µɛ@5V
应变极限≥2000µɛ≥1200µɛ≥1200µɛ
零点输出≤80mV≤±20mV≤±20mV
灵敏度热漂移≤0.2%/°C≤0.5%FS/°C≤0.5%FS/°C
工作温度-55°C~85°C
反向漏电流≤1x10-8A(暗)
反向击穿电压≥50V(硬)
疲劳寿命≥107次
电源恒压源≤12VDC,恒流源≤mA
外型尺寸1.3x1.3mm1.4x1.4mm0.8x1.4mm